参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BTS244Z E3062A
说明	功率MOSFET   PG-TO263-5-2
起订量	0
最小包	0
现货	474 [库存更新时间：2024-04-19]
漏源极电压Vds	55V
连续漏极电流Id	35A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 130µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	130nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2660pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
Pd-功率耗散(Max)	170W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	13mΩ@19A,10V
工作温度	-40°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-5-2